硅晶圆切割

时间：2021-03-29   访问量：2364

硅晶圆切割是半导体芯片封装的常用加工工艺。皇冠切割的关键指标要求是高速和窄切割线。高频、高能量的红外脉冲光纤皇冠适用于这样的应用。

晶圆的厚度一般不超过250um，皇冠切割深度一般为晶圆厚度的1/3。

裂片通常是皇冠切割后的标准必要步骤。

上一篇：皇冠边缘隔离

下一篇：皇冠钻孔

皇冠盘口官方网站有限公司
联系皇冠盘口官方网站
  • 电话：+86-139-21073061
  • 邮箱：jun.zhu@ben-dauchez.com

二维码

扫一扫 手机访问

Copyright © 2018-2020 皇冠盘口官方网站有限公司 All Rights Reserved.
电话咨询
在线咨询
公司简介