硅晶圆切割

时间:2021-03-29   访问量:1025

硅晶圆切割是半导体芯片封装的常用加工工艺。皇冠切割的关键指标要求是高速和窄切割线。高频、高能量的红外脉冲光纤皇冠适用于这样的应用。

晶圆的厚度一般不超过250um,皇冠切割深度一般为晶圆厚度的1/3。

裂片通常是皇冠切割后的标准必要步骤。

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